Responsable del grupo de trabajo
P-type ZnO:N thin films for flexible electronics: The effect of controlled bending cycles on flexible micro-p–n junctions
Tunable Density-of-States in Chromium Oxide Thin Films via Room Temperature Laser Ablation
A Case Study on Sputtered Chromium Sacrificial Layer for Ti2O3 Microstructure Fabrication
Room temperature deposition of stable p-type ZnO:N thin films through chemical species modulation using reactive pulsed laser deposition
P-type ZnO:N thin films deposited at room temperature on different substrates for p-channel thin film transistor fabrication
Se tiene interés en componentes electrónicos (transistores, diodos, resistencias, capacitores, memristores) transparentes y flexibles, utilizando películas delgadas de óxidos semiconductores como capas activas. Parte del esfuerzo se ha enfocado en la obtención de películas delgadas semiconductoras tipo p y tipo n, las cuales fabricamos mediante técnicas como el baño químico en solución, ablación láser y la erosión iónica, evaporación por haz de electrones y depósito por capas atómicas. Actualmente NANODID tiene la capacidad técnica de fabricar películas delgadas semiconductoras de ZnO (aislantes, p y n), TiO2 (aislantes, p y n), CrOx, NiO(tipo p y n), ITO (muy baja resistividad), FTO (muy baja resistividad), entre otros materiales metálicos, pudiendo variar ampliamente sus propiedades químicas, eléctricas, electrónicas, ópticas, entre otras.
Broadband integrated directional coupler for heralded single-photon characterization
Resonance vs. non-resonance parametric amplification for squeezed light generation in microstructured fibers
Linear and nonlinear properties study of silicon nitride films for integrated photonics
Fiber-based photon-pair generation: tutorial
https://doi.org/10.1364/JOSAB.478008
Esta línea de trabajo se desarrolla en colaboración con el grupo LINOC (Laboratorio de Interacciones No Lineales y Óptica Cuántica), ubicado en el CICESE (Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada) y asociado al Laboratorio Nacional de Materia Cuántica: Materia Ultrafría e Información Cuántica (LANMAC). En este proyecto se ha desarrollado una metodología completa que permite la fabricación de guías de onda tipo cresta. En un futuro cercano, esta metodología se utilizará para fabricar circuitos fotónicos que tendrán aplicaciones en tecnologías cuánticas, como la comunicación y la computación cuántica.
La plataforma propuesta en este proyecto se basa en guías de onda de nitruro de silicio (Si3N4) sobre dióxido de silicio (SiO2), en un sustrato de silicio (Si).